Name: TRS2E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS2E65H,S1Q-ND
Price: 2.11876 CHF
Availability: InStock

Dioden 650 V 2A Durchkontaktierung TO-220-2L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRS2E65H,S1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TRS2E65H,S1Q-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS2E65H,S1Q
Beschreibung	DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 2A Durchkontaktierung TO-220-2L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.35 V @ 2 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	40 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	135pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang	175°C

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.96000	Fr. 1.96
50	Fr. 0.95940	Fr. 47.97
100	Fr. 0.86220	Fr. 86.22
500	Fr. 0.69200	Fr. 346.00
1’000	Fr. 0.63727	Fr. 637.27
2’000	Fr. 0.59125	Fr. 1’182.50
5’000	Fr. 0.57800	Fr. 2’890.00

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