Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 2.31334 CHF
Availability: InStock

Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung TO-220-2L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRS4E65H,S1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TRS4E65H,S1Q-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS4E65H,S1Q
Beschreibung	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 4A Durchkontaktierung TO-220-2L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	4A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.35 V @ 4 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	55 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	263pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang	175°C

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.14000	Fr. 2.14
50	Fr. 1.09600	Fr. 54.80
100	Fr. 1.08690	Fr. 108.69
500	Fr. 0.88068	Fr. 440.34
1’000	Fr. 0.80727	Fr. 807.27
2’000	Fr. 0.77100	Fr. 1’542.00

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