Name: TRS6A65F,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS6A65FS1Q-ND
Price: 3.90241 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRS6A65F,S1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TRS6A65FS1Q-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS6A65F,S1Q
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 6A TO220F2L
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 6A Durchkontaktierung TO-220F-2L
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TRS6A65F,S1Q Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.6 V @ 6 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	30 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	22pF bei 650V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-2L
Betriebstemperatur - Übergang	175°C (max.)
Basis-Produktnummer	TRS6A65

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1	Fr. 3.61000	Fr. 3.61
50	Fr. 1.90000	Fr. 95.00
100	Fr. 1.61820	Fr. 161.82
500	Fr. 1.33286	Fr. 666.43
1’000	Fr. 1.25700	Fr. 1’257.00

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