Name: TW048N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW048N65CS1F-ND
Price: 17.02575 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TW048N65C,S1F
DigiKey-Teilenr.	264-TW048N65CS1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TW048N65C,S1F
Beschreibung	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	65mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1362 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	132W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 29

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 15.75000	Fr. 15.75
30	Fr. 9.91000	Fr. 297.30
120	Fr. 9.21100	Fr. 1’105.32

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.