GT50JR22(STA1,E,S)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GT50JR22(STA1,E,S)

TW070J120B,S1Q

DigiKey-Teilenr.
264-TW070J120BS1Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TW070J120B,S1Q
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 36 A (Tc) 272W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TW070J120B,S1Q Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
90mOhm bei 18A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,8V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
±25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1680 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
272W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P(N)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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