Name: TW083U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083U65CRQTR-ND
Price: 19.93364 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TW083U65C,RQ
DigiKey-Teilenr.	264-TW083U65CRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TW083U65CRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TW083U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TW083U65C,RQ
Beschreibung	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 28 A (Tc) 111W (Tc) Oberflächenmontage TOLL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	124mOhm bei 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 600µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	873 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	111W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TOLL
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN