Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 8.42099 CHF
Availability: InStock

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TW092V65C,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TW092V65CLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TW092V65C,LQ
Beschreibung	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) Oberflächenmontage 4-DFN-EP (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 600µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +25V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 873 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 111W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 27 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DFN-EP (8x8)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle 4-VSFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 136mOhm bei 15A, 18V