Name: TP65H035WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: TP65H035WS-ND
Price: 19.8904 CHF
Availability: OutOfStock

N-Kanal 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H035WS
DigiKey-Teilenr.	TP65H035WS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H035WS
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 1mA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Technologie GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 46,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41 mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer TP65H035

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