SI9407BDY-T1-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4925BDY-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SI4925BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
742-SI4925BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
742-SI4925BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SI4925BDY-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 5,3A 1,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 7,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
50nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Leistung - Max.
1,1W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4925
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Gurtabschnitt (CT)
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10Fr. 1.25100Fr. 12.51
100Fr. 0.85440Fr. 85.44
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 1.94000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.09714