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FESB8DTHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Datenblatt
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MBRB15H50CT-E3/81
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FESB8ATHE3_A/P

DigiKey-Teilenr.
112-FESB8ATHE3_A/P-ND
Hersteller
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer
FESB8ATHE3_A/P
Beschreibung
DIODE STANDARD 50V 8A TO263AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 50 V 8A Oberflächenmontage TO-263AB (D2PAK)
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
50 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
950 mV @ 8 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
35 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 µA @ 50 V
Kapazität bei Vr, F
85pF bei 4V, 1MHz
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AB (D2PAK)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 150°C
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