Name: VS-3C20ET12T-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C20ET12T-M3-ND
Price: 10.42084 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-3C20ET12T-M3
DigiKey-Teilenr.	112-VS-3C20ET12T-M3-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-3C20ET12T-M3
Beschreibung	DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 20A Durchkontaktierung TO-220AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.5 V @ 20 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	110 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F	73pF bei 800V, 1MHz
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C

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50	Fr. 5.41900	Fr. 270.95
100	Fr. 5.04790	Fr. 504.79
500	Fr. 4.70000	Fr. 2’350.00

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