VS-C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-C12ET07T-M3
DigiKey-Teilenr.	751-VS-C12ET07T-M3-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-C12ET07T-M3
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220AC

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 12 A
Geschwindigkeit	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	65 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	515pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer	C12ET07