SIDR668DP-T1-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIDR402DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SIDR402DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
SIDR402DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIDR402DP-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 64,6 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen IV
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
64,6 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,88mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9100 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
6,25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerPAK® SO-8DC
Gehäuse / Hülle
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIDR402
Product Questions and Answers

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Menge
Alle Preise in CHF
Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.34000Fr. 2.34
10Fr. 1.70200Fr. 17.02
100Fr. 1.18180Fr. 118.18
500Fr. 1.00796Fr. 503.98
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3’000Fr. 0.82350Fr. 2’470.50
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.34000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.52954