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TO-263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-3
TO-263-3

IRF540SPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF540SPBF-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRF540SPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF540SPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
77mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,7W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF540
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