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N-Kanal 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
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IRF610LPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF610LPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF610LPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.2 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
140 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
I2PAK
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 2A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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