Name: IRF610SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610SPBF-ND
Price: 2.21605 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)

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IRF610SPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF610SPBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF610SPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF610SPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.2 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 140 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 36W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,3 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 2A, 10V	Basis-Produktnummer IRF610

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.05000	Fr. 2.05
50	Fr. 1.00380	Fr. 50.19
100	Fr. 0.90180	Fr. 90.18
500	Fr. 0.72292	Fr. 361.46
1’000	Fr. 0.66541	Fr. 665.41
2’000	Fr. 0.61707	Fr. 1’234.14
5’000	Fr. 0.56478	Fr. 2’823.90
10’000	Fr. 0.54433	Fr. 5’443.30

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