IRF634S Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF634S
DigiKey-Teilenr.	IRF634S-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF634S
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 8,1 A (Tc) 3,1W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
EDA/CAD-Modelle	IRF634S Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	450mOhm bei 5,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	770 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IRF634