Name: IRF644SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF644SPBF-ND
Price: 4.23752 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 250 V 14 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF644SPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF644SPBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF644SPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 14 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF644SPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,1W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 8,4A, 10V	Basis-Produktnummer IRF644

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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50	Fr. 2.02540	Fr. 101.27
100	Fr. 1.84200	Fr. 184.20
500	Fr. 1.52086	Fr. 760.43
1’000	Fr. 1.41773	Fr. 1’417.73
2’000	Fr. 1.33107	Fr. 2’662.14
5’000	Fr. 1.31359	Fr. 6’567.95

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