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Direkter Ersatz

IRFBG30PBF-BE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1’326
Stückpreis : Fr. 2.43000
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Parametrisches Äquivalent

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SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFBG30PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFBG30PBF-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRFBG30PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 3,1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFBG30PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
980 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFBG30
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 1.78000Fr. 1.78
50Fr. 1.12600Fr. 56.30
100Fr. 1.11790Fr. 111.79
500Fr. 1.07316Fr. 536.58
1’000Fr. 0.99526Fr. 995.26
2’000Fr. 0.94000Fr. 1’880.00
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 1.78000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 1.92418
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