Name: IRFIB7N50APBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFIB7N50APBF-ND
Price: 2.88627 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFIB7N50APBF
DigiKey-Teilenr.	IRFIB7N50APBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFIB7N50APBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 6,6 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFIB7N50APBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	520mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1423 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Basis-Produktnummer	IRFIB7

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50	Fr. 1.50140	Fr. 75.07
1’000	Fr. 1.49900	Fr. 1’499.00

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