
IRFL9110PBF | |
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DigiKey-Teilenr. | IRFL9110PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFL9110PBF |
Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 100 V 1,1 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFL9110PBF Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,2Ohm bei 660mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 200 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | SOT-223 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |





