IRFPC50APBF Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFPC50APBF
DigiKey-Teilenr.	IRFPC50APBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFPC50APBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFPC50APBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	580mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IRFPC50

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