Name: IRFPG50PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFPG50PBF-ND
Price: 8.29127 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1000 V 6,1 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFPG50PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFPG50PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFPG50PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 6,1 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFPG50PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 190 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2800 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,1 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2Ohm bei 3,6A, 10V	Basis-Produktnummer IRFPG50

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25	Fr. 4.61680	Fr. 115.42
100	Fr. 3.88970	Fr. 388.97
500	Fr. 3.30842	Fr. 1’654.21
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