SI4200DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vishay Siliconix

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SI4200DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4200DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4200DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 25V 8A 2,8W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 7,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	415pF bei 13V
Leistung - Max.	2,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4200