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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRLD024PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRLD024PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRLD024PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRLD024PBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4V, 5V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 100mOhm bei 1,5A, 5V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 18 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 870 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 1,3W (Ta) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 4-HVMDIP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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