IRLD110PBF Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLD110PBF
DigiKey-Teilenr.	IRLD110PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRLD110PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLD110PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	540mOhm bei 600mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	250 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-HVMDIP
Gehäuse / Hülle	4-DIP (0,300", 7,62mm)
Basis-Produktnummer	IRLD110