
MXP120A080FW-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-MXP120A080FW-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MXP120A080FW-GE3 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 29 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | MXP120A080FW-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V, 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 100mOhm bei 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,69V bei 5mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 47.3 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +22V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1156 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-3L | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.14000 | Fr. 8.14 |
| 10 | Fr. 6.36000 | Fr. 63.60 |
| 25 | Fr. 5.91360 | Fr. 147.84 |
| 100 | Fr. 5.42260 | Fr. 542.26 |
| 250 | Fr. 5.18856 | Fr. 1’297.14 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 8.14000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 8.79934 |


