Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.42159 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1012CR-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1012CR-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V SC75A
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Oberflächenmontage SC-75A
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1012CR-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 43 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 240mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-75A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 630mA (Ta)	Gehäuse / Hülle SC-75, SOT-416
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SI1012
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 396mOhm bei 600mA, 4,5V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 59’443

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)