SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1025X-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1025X-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1025X-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1025X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1025X-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 190mA 250mW Oberflächenmontage SC-89 (SOT-563F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	190mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1,7nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	23pF bei 25V
Leistung - Max.	250mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-89 (SOT-563F)
Basis-Produktnummer	SI1025

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