SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SI1035X-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Central Semiconductor Corp

Vorrätig: 5’156

Stückpreis : Fr. 0.65000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1035X-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1035X-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1035X-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1035X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1035X-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A SC89
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 180mA, 145mA 250mW Oberflächenmontage SC-89 (SOT-563F)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1035X-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180mA, 145mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5Ohm bei 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	400mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0,75nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	250mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-89 (SOT-563F)
Basis-Produktnummer	SI1035