Name: SI1062X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1062X-T1-GE3TR-ND
Price: 0.20539 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1062X-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1062X-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1062X-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1062X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1062X-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V SC89-3
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 530mA (Ta) 220mW (Ta) Oberflächenmontage SC-89-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1062X-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	530mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	420mOhm bei 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.7 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	43 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	220mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-89-3
Gehäuse / Hülle	SC-89, SOT-490
Basis-Produktnummer	SI1062