SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1070X-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1070X-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1070X-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1070X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1070X-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,2 A (Ta) 236mW (Ta) Oberflächenmontage SC-89 (SOT-563F)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 1,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,55V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	385 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	236mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-89 (SOT-563F)
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer	SI1070