Name: SI1965DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1965DH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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SI1965DH-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1965DH-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1965DH-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1965DH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1965DH-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 1,3A 1,25W Oberflächenmontage SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	390mOhm bei 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4,2nC bei 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	120pF bei 6V
Leistung - Max.	1,25W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-70-6
Basis-Produktnummer	SI1965