Name: SI2306BDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2306BDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.73508 CHF
Availability: OutOfStock

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Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 9’113

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Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 8’076

Stückpreis : Fr. 13.00000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI2306BDS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2306BDS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2306BDS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2306BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2306BDS-T1-BE3
Beschreibung	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 3,16 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,16 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	47mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	305 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	750mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3