Name: SI2312CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.46483 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI2312CDS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2312CDS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2312CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2312CDS-T1-BE3
Beschreibung	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5A (Ta), 6A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	31,8mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	865 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3