Name: SI2323DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.73508 CHF
Availability: InStock

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SI2323DDS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2323DDS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2323DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2323DDS-T1-BE3
Beschreibung	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 4,1A (Ta), 5,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,1A (Ta), 5,3A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39mOhm bei 4,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1160 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)