Name: SI2324DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2324DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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SI2324DS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI2324DS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI2324DS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI2324DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2324DS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 2,3 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,9V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10.4 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 190 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SI2324
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 234mOhm bei 1,5A, 10V

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Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
RF4L055GNTCR	Rohm Semiconductor	13’577	RF4L055GNTCRCT-ND	Fr. 1.17000	Ähnlich
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