Name: SI2356DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.47564 CHF
Availability: InStock

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SI2356DS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2356DS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2356DS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2356DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2356DS-T1-BE3
Beschreibung	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 3,2A (Ta), 4,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 370 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,2A (Ta), 4,3A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 51mOhm bei 3,2A, 10V

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