Name: SI2399DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2399DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.69184 CHF
Availability: InStock

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SI2399DS-T1-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI2399DS-T1-BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI2399DS-T1-BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI2399DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2399DS-T1-BE3
Beschreibung	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 5,1A (Ta), 6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 835 pF @ 10 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,1A (Ta), 6A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 34mOhm bei 5,1A, 10V

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SI2399DS-T1-BE3