SI3445DV-T1-E3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SI3445DV-T1-E3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

Vishay Siliconix

Vorrätig: 31’464

Stückpreis : Fr. 0.35000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI3445DV-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI3445DV-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI3445DV-T1-E3
Beschreibung	MOSFET P-CH 8V 6TSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 8 V 5,6 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 6-TSOP

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	42mOhm bei 5,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	SI3445