Name: SI4143DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4143DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.26477 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4143DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4143DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 25,3 A (Tc) 6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4143DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 167 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6630 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 6W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TA)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25,3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI4143
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,2mOhm bei 12A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 92’213

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT)

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)