SI4465ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vishay Siliconix

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SI4465ADY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4465ADY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4465ADY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4465ADY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 8 V 13,7A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 6,5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,7A (Ta), 20A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 14A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 6,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4465