Name: SI4896DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4896DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.19991 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4896DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4896DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4896DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4896DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4896DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 6,7 A (Ta) 1,56W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4896DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,56W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4896