SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SI4900DY-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4900DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4900DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	58mOhm bei 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	665pF bei 15V
Leistung - Max.	3,1W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4900