SI4906DY-T1-E3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SI4906DY-T1-E3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4906DY-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI4906DY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4906DY-T1-E3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 6,6A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4906DY-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,6A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	625pF bei 20V
Leistung - Max.	3,1W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4906