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Vishay Siliconix
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Datenblatt
8-SOIC
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SI4965DY-T1-E3

DigiKey-Teilenr.
SI4965DY-T1-E3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI4965DY-T1-E3
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 8V 2W Oberflächenmontage 8-SOIC
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
21mOhm bei 8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
450mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
Leistung - Max.
2W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
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