SI7112DN-T1-E3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

SI7112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 10’268
Stückpreis : Fr. 2.03000
Datenblatt

Ähnlich

BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.26308
Datenblatt

Ähnlich

CSD17552Q3A
Texas Instruments
Vorrätig: 8’500
Stückpreis : Fr. 1.19000
Datenblatt

Ähnlich

CSD17578Q3A
Texas Instruments
Vorrätig: 7’156
Stückpreis : Fr. 0.76000
Datenblatt

Ähnlich

CSD17578Q3AT
Texas Instruments
Vorrätig: 4’099
Stückpreis : Fr. 1.37000
Datenblatt

Ähnlich

R8010ANX
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.42440
Datenblatt

Ähnlich

RQ1E070RPTR
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 3’094
Stückpreis : Fr. 1.30000
Datenblatt

Ähnlich

RQ1E075XNTCR
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 26’746
Stückpreis : Fr. 0.68000
Datenblatt

Ähnlich

RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 2’142
Stückpreis : Fr. 0.63000
Datenblatt

Ähnlich

RQ3E150MNTB1
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.55000

Ähnlich

RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 4’998
Stückpreis : Fr. 0.51000
Datenblatt

Ähnlich

STL11N3LLH6
STMicroelectronics
Vorrätig: 1’293
Stückpreis : Fr. 1.27000
Datenblatt
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SIS176LDN-T1-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7112DN-T1-E3

DigiKey-Teilenr.
SI7112DN-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SI7112DN-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
SI7112DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SI7112DN-T1-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 11,3 A (Tc) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,5mOhm bei 17,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2610 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,5W (Ta)
Betriebstemperatur
-50°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SI7112
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 1.99000Fr. 1.99
10Fr. 1.43600Fr. 14.36
100Fr. 1.00070Fr. 100.07
500Fr. 0.82008Fr. 410.04
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3’000Fr. 0.70482Fr. 2’114.46
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 1.99000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.15119