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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.70000
Datenblatt

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Vorrätig: 8’500
Stückpreis : Fr. 1.19000
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Vorrätig: 7’156
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Vorrätig: 3’094
Stückpreis : Fr. 1.30000
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 26’746
Stückpreis : Fr. 0.68000
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 2’142
Stückpreis : Fr. 0.63000
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.55000

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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 4’998
Stückpreis : Fr. 0.51000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 912
Stückpreis : Fr. 1.27000
Datenblatt
SIS176LDN-T1-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7328DN-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SI7328DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI7328DN-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 35 A (Tc) 3,78W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,6mOhm bei 18,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
31.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2610 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,78W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3’000Fr. 0.70000Fr. 2’100.00
Standardverpackung des Herstellers
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