Name: SI7430DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7430DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.52406 CHF
Availability: InStock

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SI7430DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7430DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7430DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7430DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7430DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 26 A (Tc) 5,2W (Ta), 64W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1735 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5,2W (Ta), 64W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 5A, 10V	Basis-Produktnummer SI7430