Name: SI7956DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7956DP-T1-E3TR-ND
Price: 3.58892 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7956DP-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI7956DP-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7956DP-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7956DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7956DP-T1-E3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 150V 2,6A 1,4W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7956DP-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,6A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	105mOhm bei 4,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	1,4W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7956